壓控振蕩器在射頻通信電路中的應(yīng)用

隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)和現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)的出現(xiàn),射頻電路需要在特定的載波頻率點(diǎn)上建立穩(wěn)定的諧波振蕩,以便為調(diào)制和混頻創(chuàng)造必要的條件.設(shè)計(jì)了一個(gè)振蕩頻率在1.14～1.18 GHz的負(fù)阻LC壓控振蕩器,實(shí)現(xiàn)了壓控振蕩器的寬調(diào)頻,使頻率范圍達(dá)到40 MHz.并且為避免在外部電路對(duì)壓控振蕩器(VCO)的影響,在電路中加入射極跟隨器作為buffer,起到阻抗變換和級(jí)間隔離的作用.為負(fù)阻LC壓控振蕩器的設(shè)計(jì)提供了一種參考電路.

晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

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壓控振蕩器優(yōu)點(diǎn)

低相位噪聲：高頻低抖動(dòng)的LVDS輸出壓控晶振，抖動(dòng)小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達(dá)到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會(huì)結(jié)合PLL鎖相電路實(shí)現(xiàn)超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。