5分鐘前 精密制樣設(shè)備詢問報價「蘇州特斯特」[蘇州特斯特31ff5f9]內(nèi)容：同時利用光誘導(dǎo)的電阻，它的主要原理是利用激光電視，在恒定電壓之下進行掃描，通過一部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，可以關(guān)注它所發(fā)生的實際變化。這樣在檢測的過程當(dāng)中，效率就會得到大幅度的提高。因此在檢測芯片的過程當(dāng)中，其實有很多比較重要的方法，客戶可以去關(guān)注emmi檢測和他的分析方式，目前國內(nèi)關(guān)于芯片的檢測機構(gòu)并不是特別的成熟。

無損檢測技術(shù)--SAM將scanning acoustic microscope(SAM)用于IC的封裝掃描檢測，可以在不損傷封裝的情況發(fā)現(xiàn)封裝的內(nèi)部缺陷。由于在很多時候不能打開封裝來檢查，即使打開很可能原來的缺陷已經(jīng)被破壞。利用超聲波的透射、反射特性可以很好解決這個問題。超聲波在不同介質(zhì)中的傳播速率不同。

EMMI微光顯微鏡

微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是常用漏電流路徑分析手段。對于故障分析而言，微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination會放出光子（Photon）。如在P-N結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴（或N端的電子）做EHP Recombination。在故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點等方面，微光顯微鏡可分析P-N接面漏電；P-N接面崩潰；飽和區(qū)晶體管的熱電子；氧化層漏電生的光子激發(fā)；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題.