此外，使用混入了導電性填充劑的電子導電性橡膠的導電輥，其電阻值與施加的電壓有關，存在電阻值不固定的問題。特別是采用碳黑作為導電性填充劑時，這些傾向更明顯。

由于使用了電子導電性橡膠的導電輥，不論是采用間歇式制法還是連續硫化處理法，都存在電阻值不均勻的問題，所以在數字化、彩色化等提高圖像質量的技術日新月異的今天，希望用離子導電性橡膠替代電子導電性橡膠。

而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。鋼鐵業中的毛刷輥制作工藝主要有螺旋纏繞式，內焊拼裝式，螺旋咬合型刷片組裝式。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。

陶瓷靶材

ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進行高溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和發生翹曲,所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。