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全光譜反射率檢測(cè)儀

光譜遙感能快速無損獲取植被冠層信息，是實(shí)現(xiàn)作物長(zhǎng)勢(shì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的重要技術(shù)。不同氮磷水平下，冬小麥葉面積指數(shù)隨施肥量增加呈遞增趨勢(shì)，隨生育時(shí)期改變呈拋物線趨勢(shì)變化；隨著氮磷供應(yīng)量的增加，冠層光譜反射率在可見光波段顯著降低 2%～5%（P<0.05），在近紅外波段顯著增加 4%～10%（P<0.05）；不同生育時(shí)期葉面積指數(shù)與優(yōu)化土壤調(diào)整植被指數(shù)、增強(qiáng)型植被指數(shù)Ⅱ、新型植被指數(shù)、修正化差異植被指數(shù)、修正簡(jiǎn)單比值植被指數(shù)均達(dá)極顯著相關(guān)（P<0.01）；拔節(jié)期、孕穗期、抽穗期、灌漿期和成熟期葉面積指數(shù)分別與優(yōu)化土壤調(diào)整植被指數(shù)、增強(qiáng)型植被指數(shù)Ⅱ、增強(qiáng)型植被指數(shù)Ⅱ、修正化差異植被指數(shù)和修正簡(jiǎn)單比值植被指數(shù)擬合效果較好。

基于高光譜遙感監(jiān)測(cè)作物長(zhǎng)勢(shì)已經(jīng)成為農(nóng)業(yè)研究熱點(diǎn)問題之一。由于作物和冠層光譜反射率受作物養(yǎng)分狀況和生育階段等因素影響而存在一定差異。

反射率檢測(cè)儀采用鹵素?zé)艄庠椿蜃贤馊庾V光源，光源輸出均勻穩(wěn)定，操作簡(jiǎn)便，使用靈活，還可定制工業(yè)在線自動(dòng)檢測(cè)方案。景頤光電反射率檢測(cè)儀采用積分球8°角測(cè)試方法，測(cè)定時(shí)間短，單次測(cè)試時(shí)間1秒內(nèi)。

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硅片反射率檢測(cè)儀

半導(dǎo)體基本的材料是“硅”，它是不導(dǎo)電的，但如果在半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，就可以做成P型與N型半導(dǎo)體，再利用P型半導(dǎo)體有個(gè)空穴(P型半導(dǎo)體少了一個(gè)帶負(fù)電荷的電子，可視為多了一個(gè)正電荷)，與N型半導(dǎo)體多了一個(gè)自由電子的電位差來產(chǎn)生電流，所以當(dāng)太陽光照射時(shí)，光能將硅原子中的電子激發(fā)出來，而產(chǎn)生電子和空穴的對(duì)流，這些電子和空穴均會(huì)受到內(nèi)建電位的影響，分別被N型及P型半導(dǎo)體吸引，而聚集在兩端。

此時(shí)外部如果用電極連接起來，形成一個(gè)回路，這就是太陽電池發(fā)電的原理。

簡(jiǎn)單的說，太陽光電的發(fā)電原理，是利用太陽電池吸收400-1100nm波長(zhǎng)(針對(duì)硅晶)的太陽光，將光能直接轉(zhuǎn)變成電能輸出的一種發(fā)電方式。

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銅片反射率檢測(cè)儀生產(chǎn)廠家分析反射率測(cè)試儀原理

1.反射通常分為鏡面反射和漫反射。當(dāng)入射光在物體表面發(fā)生鏡面反射，通過反射探頭（FCR）測(cè)量，易造成光譜儀飽和，同時(shí)受測(cè)量距離及方向變化的影響較大。

2.測(cè)量重復(fù)性，采用積分球可以保證在1%以內(nèi)。

3. 為了避免光譜儀飽和，可以采用反射式積分球（AvaSphere-REFL），它的內(nèi)表面是的漫射體，具有非常均勻的空間反射特性，鏡面反射光在內(nèi)表面經(jīng)過多次反射后，積分球內(nèi)壁上任意位置的光強(qiáng)相同。測(cè)量步驟，先將標(biāo)準(zhǔn)片置于積分球的采樣口測(cè)量存為參考，再將待測(cè)樣品置于采樣口測(cè)量，軟件會(huì)自動(dòng)計(jì)算出反射率R。

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當(dāng)光束接近正入射（入射角θ約等于0）時(shí)，反射率計(jì)算公式是：R=(n1-n2)^2/（n1+n2）^2

其中n1,n2分別是兩種介質(zhì)的真實(shí)折射率（即相對(duì)于真空的折射率）。折射率是指光線進(jìn)入不同介質(zhì)時(shí)角度發(fā)生改變的現(xiàn)象，用sinθ1/sinθ2來表征。θ1，θ2分別為入射角和折射角，即光線與法線的夾角。

通常來說，光線在臨界面上的反射率僅與介質(zhì)的物理性能，光線的波長(zhǎng)，以及入射角相關(guān)。

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