5分鐘前 太倉不銹鋼曝光顯影加工生產商即時留言「在線咨詢」[利成感光38dbdb8]內容：曝光不足，導致單體聚合不，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會造成難顯影，留有殘膠。同時曝光影響圖案的線寬，過量曝光會使圖形線條變細，蝕刻產品線條變粗。

曝光顯影工藝主要應用于微電子加工中，是一種將芯片圖案傳遞到硅片上的技術。

曝光顯影工藝可以分為以下步驟：準備硅片：在硅片上涂覆光刻膠，將硅片和光刻膠一起加熱，使其在表面形成均勻的光刻膠層。

曝光顯影工藝流程是微電子芯片制造中的一項關鍵制程，其通常包括以下步驟：準備基礎物質：先選擇基礎物質如硅片，并在其表面上涂上一層光刻膠。布圖設計：根據芯片設計，制定合適的曝光和顯影條件，并在計算機上生成掩模圖形來輔助芯片制造。曝光：使用紫外線曝光機將掩膜上的圖案投射到光刻膠上。顯影：使用顯影液將未曝光的光刻膠清除掉，將芯片圖案暴露出來。

曝光顯影是一種工程加工技術，用于制造半導體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個步驟中將所需的圖案或形狀轉移到底材表面。盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中 [1] 。

3D玻璃顯影曝光技術在HW mateRs用到了此技術，該后蓋3D玻璃8曲面，弧面曲率大，

設計八曲面玻璃主要是為了滿足如下兩點需求：

1:為壓縮整機厚度，后蓋弧度大可增加架構空間，另未來5G的發展，器件增加，空間需加大;

顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。