溫補振蕩器的優(yōu)點

溫補晶體振蕩器研制項目是根據(jù)產(chǎn)品需求，我司比照國外某公司系列晶體振蕩器的性能指標(biāo)，開展實現(xiàn)插拔替換的國產(chǎn)化替代研制項目。該晶振采用全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計并對電路進行優(yōu)化，實現(xiàn)了溫補晶體振蕩器的小型化，產(chǎn)品的封裝和安裝面積與進口產(chǎn)品一致，可以實現(xiàn)與進口產(chǎn)品的插拔替換，而且高度相比進口同類產(chǎn)品降低了兩毫米。該晶振的頻率溫度穩(wěn)定性和穩(wěn)態(tài)相位噪聲都達(dá)到了較高的水平，還具有抗輻照、抗靜電、產(chǎn)品可靠性高，抗振性好等特點，性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到或超過了同類進口產(chǎn)品。

溫補振蕩器發(fā)展

準(zhǔn)確頻率源是許多電子設(shè)備組成部分,頻率源性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性。隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,對頻率源的要求也越來越高。普通晶體振蕩器是常用的頻率源,但由于其振蕩頻率隨溫度變化呈近似的三次函數(shù)關(guān)系,它的應(yīng)用范圍受到了限制。為了獲得寬溫度范圍的準(zhǔn)確頻率源,通常采用電路對其進行溫度補償。 本文設(shè)計了一款溫度補償晶體振蕩器(TCXO)芯片,該芯片只需外接一顆石英晶振便可構(gòu)成TCXO,該芯片分為壓控晶體振蕩器和模擬溫度補償電路兩個部分。其中的壓控晶體振蕩器的壓控電容采用MOS可變電容,實現(xiàn)起來成本低。

什么叫溫補振蕩器的滯變效應(yīng)和微擾效應(yīng)

滯變效應(yīng)（完整溫度循環(huán)）[3]在一個完整的穩(wěn)態(tài)環(huán)境溫度測試循環(huán)中觀察到的,溫補晶體振蕩器頻率溫度特性不可重復(fù)的一種熱致效應(yīng)（指標(biāo)多為≤±0.1ppm～≤±0.6ppm）。滯變效應(yīng)較為簡單的計算方法是只計算一個完整穩(wěn)態(tài)環(huán)境溫度測試循環(huán)前后+25℃時輸出頻率的差值。

微擾效應(yīng)：主要是由于晶體諧振器制造缺陷造成的,溫補晶體振蕩器輸出頻率圍繞其光滑頻率溫度特性曲線存在跳點的效應(yīng)（指標(biāo)多為≤±0.1ppm～≤±1.0ppm）。微擾效應(yīng)一般不做100％參數(shù)測試,廠家通常采用另外一種有效的方法,即通過篩選微擾效應(yīng)小的晶體揩振器來做到設(shè)計參數(shù)的保證。