導電輥包括導電輥的外層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成、內層由離子導電性聚合物的組合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成的雙層導電輥，以及與上述相反的外層由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成、內層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成的雙層導電輥。釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn。

在使用電子照相方法的打印技術中，已經漸進實現高速打印操作、高質量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。用間歇式硫化法進行硫化處理制造輥筒時，由于端部和中央部分會產生壓力和熱傳遞差，所以電阻值不均勻。色粉一直是這些改進的關鍵。為滿足上述需要，必須形成精細分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細分配的色粉顆粒的技術，近已經開發出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術，已經開發出球形度99%以上的色粉。

磁控濺射靶材種類：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），鉛靶材（PbAs），銦靶材（InAs）。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。

區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。

由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區熔提純。另外，近年來平面顯示器（FPD）大幅度取代原以陰極射線管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機市場．亦將大幅增加ITO靶材的技術與市場需求。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。