WT5113寬輸出范圍非隔離交直流轉(zhuǎn)換芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率6W,輸出500mA非隔離開關(guān)電源。
       WT5113內(nèi)置650V高壓啟動電路，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、低功耗待機功能。具有軟啟動功能，能夠減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。該芯片提供了完整的智能化保護功能，**流保護，欠壓保護，過溫保護，另外WT5113的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。采用DIP-7封裝。

特性 ：

*內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

*內(nèi)置高壓啟動

*優(yōu)化適用于12V-18V輸出非隔離應(yīng)用

*功率6W輸出500mA

*降頻

*軟啟動

*優(yōu)異的負載調(diào)整率和工作效率

*保護功能

優(yōu)異保護功能

過流保護(OCP)

過溫保護(OTP)