偵測到亮點之情況；

會產(chǎn)生亮點的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。 偵測不到亮點之情況 不會出現(xiàn)亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。

EMMI微光顯微鏡

微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是常用漏電流路徑分析手段。對于故障分析而言，微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是一種相當有用且效率極高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination會放出光子（Photon）。如在P-N結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴（或N端的電子）做EHP Recombination。在故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點等方面，微光顯微鏡可分析P-N接面漏電；P-N接面崩潰；飽和區(qū)晶體管的熱電子；氧化層漏電生的光子激發(fā)；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題.