外殼是金屬的，中間是一個螺絲孔，也就是跟大地連接起來了。這里通過一個1M的電阻跟一個0.1uF的電容并聯，跟電路板的地連接在一起，這樣有什么好處呢？
1、外殼地如果不穩定或者有靜電之類的，如果與電路板地直接連接，就會打壞電路板芯片，加入電容，就能把低頻高壓，靜電之類的隔離起來，保護電路板。電路高頻干擾之類的會被電容直接接外殼，起到了隔直通交的功能。
2、那為什么又加一個1M的電阻呢？這是因為，如果沒有這個電阻，電路板內有靜電的時候，與大地連接的0.1uF的電容是隔斷了與外殼大地的連接，也就是懸空的。這些電荷積累到確定程度，就會出問題，需要與大地連接才行，所以這里的電阻用于放電。
封裝外殼機械加工性能跟結構設計要求
(一)、金屬封裝外殼機械加工性能
要具備較好的機械加工性能，先，要求材料性能一致性好，致密度高，質量穩定，具備較好的切削、電加工、螺紋成形加工性能。其次，封裝外殼
要求機加工表面光潔度良好、顏色均勻一致，無崩邊、裂紋、氣孔、夾雜、凹坑等缺陷，能夠加工成工程所需的形狀。
硅相晶粒大小、硅相分布均勻性、雜質含量是影響硅鋁合金復合材料加工性能的重要因素。對硅含量相同的三種材料進行比較，奧斯伯雷(Osprey)硅鋁合金復合材料硅相晶粒大小為30um，硅相分布均勻，雜質含量少，物理特性穩定。
國產噴射沉積硅鋁合金復合材料在雜質含量、硅相晶粒大小、硅相分布均勻性等指標上略差于進口材料。而國產壓力浸滲法硅鋁合金復合材料在硅相晶粒上偏大。
我們通過定購TR組件殼體成品和采購原料進行試制加工兩種方式進行比對，奧斯伯雷(Osprey)硅鋁合金復合材料與國產噴射沉積硅鋁合金復合材料機械加工性能良好，未出現材料崩裂現象，定購的奧斯伯雷(Osprey)TR組件殼體成品加工效果。
(二)、蝶形微波器殼體的結構設計要求
TR組件目前常用的高功率發熱芯片主要有GaAs，GaN和LTCC，其中典型的整體微波器殼
TR組件的幾乎都為封閉式盒體結構。GaAs，GaN芯片直接或間接(有過渡層)焊接在殼體上，然后和印制板進行鍵合，然后整個盒體進行密封裝。
該種形式TR的氣密封裝形式簡便，但是厚度受限，一般不低于5mm。我所目前常用微波、毫米波TR組件主要是Ku，K，Ka頻段，半波長在5~11毫米。當TR組件的厚度受限時，就采用局部氣密封裝的形式，將天線和TR做成LTCC然后將LTCC焊接在TR背板上，對LTCC進行局部氣密封。
相控陣毫米波導引頭TR組件由于厚度受限，設計采用局部氣密封裝方式。相控陣毫米波導引頭天線的間距為9mm，TR組件封裝外殼典型結構為間距9mm的磚式結構。雙面焊接LTCC基板，單面焊接2片，該TR背板上要同時集成LTCC及收發電路，中間還有部分波導，尺寸小，器件集成度高，安裝定位要素多，精度要求高。該TR背板不僅是所有元器件的安裝載體，也是整個TR抵抗環境應力破壞的基體，對設計該背板的材料除應與LTCC進行熱匹配外，還應有足夠的強度抵抗沖擊、振動等環境因素的破壞。
為了與芯片的熱膨脹系數相匹配以減少工作時芯片受熱應力破壞的可能，應根據芯片的熱膨脹系數選擇與之相近的硅鋁合金復合材料，硅鋁合金復合材料的導熱系數目前外洋有5，6，7，9，11，13，15，17等規格，國內廠家的產品還不能全部覆蓋外洋的規格。由于加工性能和采購周期的限制，結合對國內相關使用情況的調研結果，對膨脹系數為9和11兩種規格的材料進行了相關的驗證。從試驗結果來看，膨脹系數為9和11的硅鋁合金復合材料材料LTCC封裝的TR組件殼體的要求
除上述電路總體要求外，由于相控陣毫米波導引頭項目TR組件外殼采用新型封裝材料硅鋁合金復合材料為基體材料，因其高脆性特點，結合氣密封裝性與環境適應性要求，結構設計需保護其加工工藝性、鍍覆性能、焊接性能以及使用性能等。
滄州恒熙電子有限責任公司
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）主營多種不同型號的晶振外殼
、電源模塊外殼
、金屬封裝外殼
，配備鍍金、鍍鎳、鍍錫、電泳漆、陽極氧化等表面處理加工車間、全部實現本廠自主生產加工能、縮短交期等問題。產品遠銷北京、上海、廣州、深圳、西安、等地。
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