如果細(xì)粒所占的數(shù)量多，雖然能研磨出很光潔的表面，但切削能力降低，所以，基本顆粒的數(shù)量是影響磨料切削能力和保證加工精度的主要因素之一。而磨料粒度的均勻程度，主要看其基本顆粒所占數(shù)量的百分比。為此，對磨料顆粒尺寸大小的顯微分析，則是檢查研磨粉質(zhì)量的重要內(nèi)容。氮化硅微粉主要用于在磨料行業(yè)，對微粉的分級(jí)有特殊要求，微粉中不能有大顆粒出現(xiàn)，所以為達(dá)國際和國內(nèi)產(chǎn)品要求，一般生產(chǎn)都采用JZF分級(jí)設(shè)備來進(jìn)行高精分級(jí)。綠氮化硅對身體是否有害，首先跟我了解一下它的原料，綠氮化硅中含99%以上的SIC(氮化硅)，經(jīng)過調(diào)查一般的接觸綠氮化硅對身體沒有害，但也有少數(shù)人接觸氮化硅會(huì)出現(xiàn)過敏現(xiàn)象，如果是綠氮化硅微粉吸入少量對身體沒有什么傷害，若吸入過多容易造成塵。

氮化硅陶瓷(Si3N4)具有優(yōu)異的抗彎強(qiáng)度、抗熱震性、抗酸堿腐蝕性以及熱導(dǎo)性能，是航空航天、器械、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。研究表明氮化硅陶瓷具有很高的理論熱導(dǎo)率，氮化硅為強(qiáng)共價(jià)鍵化合物，其導(dǎo)熱是以晶格熱振動(dòng)為主導(dǎo)，而影響陶瓷導(dǎo)熱性能的關(guān)鍵是第二相含量和晶格缺陷，尤其是晶格內(nèi)氧缺陷對氮化硅陶瓷導(dǎo)熱性能影響很大。多孔和粉末狀氮化硅的氧化行為，動(dòng)態(tài)氧化氣氛、多孔和粉末狀樣品會(huì)使得氮化硅被氧化的更嚴(yán)重。

氮化硅粉體氧存在兩種形式，一種是在表面形成二氧化硅氧化層，一種是進(jìn)入氮化硅晶格形成氧缺陷。在粉體制備過程中，晶格內(nèi)部和粉體顆粒表面吸附的氧大概有1wt%左右。高溫下氧會(huì)溶于晶格，取代氮原子生成硅空位，形成聲子傳播過程中的散射中心，影響氮化硅導(dǎo)熱性能。粉體氧含量越低，制備的陶瓷綜合性能越好。

對單質(zhì)硅的粉末進(jìn)行滲氮處理的合成方法是在二十世紀(jì)50年代隨著對氮化硅的重新“發(fā)現(xiàn)”而開發(fā)出來的。也是種用于大量生產(chǎn)氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會(huì)使得生產(chǎn)出的氮化硅含有雜質(zhì)硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態(tài)的，需要進(jìn)一步在1400-1500℃的氮?dú)庀伦鐾嘶鹛幚聿拍軐⒅D(zhuǎn)化為晶態(tài)粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次于滲氮法的商品化生產(chǎn)氮化硅的方法。碳熱還原反應(yīng)是制造氮化硅的簡單途徑也是工業(yè)上制造氮化硅粉末符合成本效益的手段。