太陽電池的分選對(duì)組件的性能及質(zhì)量控制起著極其重要的作用，它將不僅影響到組件的電性能輸出，而且極有可能引起曲線異常和熱斑現(xiàn)象，導(dǎo)致組件的早期失效。本文從測(cè)試設(shè)備的軟、硬件方面著手，詳細(xì)分析了影響電池分選的主要原因，并且針對(duì)每個(gè)主要原因進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析、驗(yàn)證，提出解決方案，終發(fā)現(xiàn)對(duì)電池片fV曲線擬合可以有效地解決電池片分選的問題，并終通過大量的數(shù)據(jù)分析驗(yàn)證方案的有效性，目前這一方法已得到廣泛應(yīng)用。

鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導(dǎo)體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價(jià)電子數(shù)為4,序數(shù)適中,所以硅元素具有特殊的物理化學(xué)性質(zhì)，可用在化工、光伏、芯片等領(lǐng)域。特別是在芯片領(lǐng)域，正式硅元素的半導(dǎo)體特性,使其成為了芯片的基石。在光伏領(lǐng)域，可用于太陽能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達(dá)到25.8%，開采較為方便，可回收性強(qiáng)，所以價(jià)格低廉,進(jìn)-步增強(qiáng)了硅的應(yīng)用范圍。

電路板清洗技術(shù)

1、水清洗技術(shù)

水清洗技術(shù)是今后清洗技術(shù)的發(fā)展方向，須設(shè)置純凈水源和排放水處理車間。它以水作為清洗介質(zhì)，并在水中添加表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑。可以除去水溶劑（助焊劑為水溶性）和非極性污染物。其清洗工藝特點(diǎn)是：

1） 安全性好，不燃燒、基本無毒；

2） 清洗劑的配方組成自由度大，對(duì)極性與非極性污染物都容易清洗掉，清洗范圍廣;

3） 多重的清洗機(jī)理。水是極性很強(qiáng)的極性溶劑，除了溶解作用外，還有皂化、乳化、置換、分散等共同作用，使用超聲比在中有效得多；

4） 作為一種天然溶劑，其價(jià)格比較低廉，來源廣泛。

電路板清洗技術(shù)

半水清洗技術(shù)

半水清洗主要采用和去離子水，再加上一定量的活性劑、添加劑所組成的清洗劑。該類清洗介于溶劑清洗和水清洗之間。這些清洗劑都屬于，屬于可燃性溶劑，閃點(diǎn)比較高，毒性比較低，使用上比較安全，但是須用水進(jìn)行漂洗，然后進(jìn)行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑，既降低了可燃性，又可使漂洗更為容易。半水清洗工藝特點(diǎn)是：

1） 清洗能力比較強(qiáng)，能同時(shí)除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力持久性較強(qiáng)；

2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質(zhì)的介質(zhì)，漂洗一般采用純水；

3） 漂洗后要進(jìn)行干燥。

該技術(shù)不足之處在于廢液和廢水處理是一個(gè)較為復(fù)雜和尚待解決的問題。