相對蒸發(fā)電鍍，磁控濺射有如下的特點：

1．膜厚可控性和重復性好

2.薄膜與基片的附著力強

3.可以制備絕大多數(shù)材料的薄膜，包括合金，化合物等

4.膜層純度高，致密

5.沉積速率低，設(shè)備也更復雜

磁控濺射鍍膜按照電源類型可分為：直流濺射、中頻濺射、射頻濺射。

反應濺射的應用：

1.現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展需要應用到越來越多的化合物薄膜。

2.如光學工業(yè)中使用的TiO2、SiO2和TaO5等硬質(zhì)膜。

3．電子工業(yè)中使用的ITO透明導電膜，SiO2、Si2N4和Al2O3等鈍化膜、隔離膜、絕緣膜。

4.建筑玻璃上使用的ZNO、SnO2、TiO2、SiO2等介質(zhì)膜

在不同的行業(yè)"電鍍"代表不同的意思。例如在現(xiàn)在的手機行業(yè)里，水電鍍很少有應用，在很多人的腦海里，電鍍一般指的真空鍍，而在衛(wèi)浴行業(yè)，水電鍍的應用很多，當然一般的電鍍指的水電鍍。

水電鍍和真空鍍都屬于鍍膜，讓我們從鍍膜的分類說起，看看各類鍍膜之間的區(qū)別是什么。

鍍膜按成型方法分類如下:

1. 固相法:--- >化學變化

2. 液相法:--- >化學變化

3. 氣象法:--- >化學變化和物理變化

詳細分類如下:

其中常用的鍍膜方式有:水電鍍、陽極氧化、真空蒸鍍、真空濺鍍、離子鍍。接下來，將從CMF工程師的角度，對上述鍍膜方法逐一講解。

真空蒸鍍又稱熱蒸發(fā)蒸鍍法

工藝關(guān)鍵詞:高溫溶解蒸發(fā)、沉積后覆膜

依薄膜材料之加熱方式之不同，真空蒸鍍又可分為間接加熱型與直接加熱型。

1. 間接加熱型:只針對蒸發(fā)源加熱，間接使其上之薄膜材料因熱而蒸發(fā);

2. 直接加熱型:利用高能粒子(電子束，電漿或鐳射)或高頻，直接使置于蒸發(fā)源上之薄膜材料升溫而蒸發(fā);

為避免蒸發(fā)源(容器)隨著薄膜材料一同被蒸發(fā)，蒸發(fā)源材質(zhì)的熔點一定要高于薄膜材料的沸點。

工藝關(guān)鍵詞:電離惰性氣體轟擊靶材、靶材脫落沉積冷卻成膜

濺鍍的原理，是鍍膜機腔體抽真空，直接以薄膜材料(靶材)當做電極，利用電極間見通電5KV~15KV產(chǎn)生的電漿轟擊靶材，同時通入氣體，氣體發(fā)生離子化，粒子在電漿內(nèi)移動，離子撞擊靶材并使靶材表面原子脫離進而沉積在基板上，冷卻濃縮成薄膜。

磁控濺鍍

在直流濺鍍或射頻濺鍍的基礎(chǔ)上改進電極結(jié)構(gòu)，亦即再把陰極內(nèi)側(cè)裝置一磁鐵，并使磁場方向垂直于極暗區(qū)電場方向，以便用磁場約束帶電粒子的運轉(zhuǎn)，這種濺射法稱為磁控濺射。

由于磁場的作用力與電子的運轉(zhuǎn)方向垂直，將形成電子回旋運動的向心力，此時中性物種間的撞擊機率提高，始之在較低的壓力下即能制作薄膜。

除了低壓外，磁控濺射的另兩項有優(yōu)點就是高速，低溫，因此也稱之為高速低溫濺鍍法。

但是磁控濺鍍也存在一些問題，如就平板磁控電極磁控電極而言，靶材中央及周邊不為垂直于電廠的磁場分量越來越小，亦即與靶材表面平行的磁場分量小，使得在靶材表面的一個環(huán)形區(qū)域被濺射的異常快，而中央和邊緣處濺射的少，如此下去便會出現(xiàn)W形侵蝕谷，使的靶材利用率降低，并且可能對薄膜的均勻性產(chǎn)生影響。