真空手套箱用磁控濺射離子鍍技術(shù)為黃銅電鍍亮鉻的衛(wèi)生潔具鍍制ZrN膜。真空手套箱設(shè)備采用基材為鋯的非平衡磁控濺射靶和中頻電源，以及脈沖偏壓電源。

(1)抽真空

5 X 10-3～6.6 x 10-13Pa本底真空。真空手套箱設(shè)備加熱溫度應(yīng)在真空室器壁放氣后又回升到100～150℃。

(2)轟擊清洗

真空度：通人氣真空度保持在2～3Pa。轟擊電壓：800～1000V，脈沖占空比20%。轟擊時間：10min。

(3)手套箱

①沉積鋯底層

真空度：通入氣，真空度保持在s x l0-1Pa。靶電壓：400—550V，靶功率15 N 30W/Crrr2。脈沖偏壓：450～500V，占空比20 %。手套箱時間：5～10min。

②鍍ZrN膜

真空度：通入氮氣，真空度保持在(3～5) x 10-1Pa。靶電壓：400～550V，靶電流隨靶的面積增大而加大。脈沖偏壓：150～200V，占空比80 %。手套箱時間：20～30min。

由于真空手套箱磁控濺射技術(shù)中金屬離化率低，不容易進行反應(yīng)沉積，獲得化合物膜層的工藝范圍比較窄。真空手套箱設(shè)備可采用氣體離子源將反應(yīng)氣體離化，擴大反應(yīng)沉積的工藝范圍。也可以采用柱狀弧源產(chǎn)生的弧等離子體作為離化源，柱狀弧源還是輔助手套箱源。

真空蒸發(fā)鍍膜

真空蒸發(fā)鍍膜是指在真空條件下，通過蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在基板材料表面來獲得薄膜的一種技術(shù)。被蒸發(fā)的物質(zhì)被稱為蒸鍍材料。蒸發(fā)鍍膜早由 M.法拉第在 1857年提出，經(jīng)過一百多年的發(fā)展，現(xiàn)已成為主流鍍膜技術(shù)之一。

真空蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)一般由三個部分組成：真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發(fā)物，同時需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。

真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應(yīng)用廣泛的鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用于光學(xué)元器件、LED、平板顯示和半導(dǎo)體分立器的鍍膜。真空鍍膜材料按照化學(xué)成分主要可以分為金屬/非金屬顆粒蒸發(fā)料，氧化物蒸發(fā)料，氟化物蒸發(fā)料等。

鐳雕

也叫激光雕刻或者激光打標，是一種用光學(xué)原理進行表面處理的工藝。

利用激光器發(fā)射的高強度聚焦激光束在焦點處 . 使材料氧化因而對其進行加工.打標的效應(yīng)是通過表層物質(zhì)的蒸發(fā)露出深層物質(zhì),或者是通過光能導(dǎo)致表層物質(zhì)的化學(xué)物理變化出痕跡,或者是通過光能燒掉部分物質(zhì),而“刻”出痕跡,或者是通過光能燒掉部分物質(zhì), 顯出所需刻蝕的圖形,文字。

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金屬真空鍍膜與您分享怎么糾正真空電鍍膜層附著力差的問題？

◆一定要保證產(chǎn)表面打底活化處理，并且確認鍍膜工序全部處于開啟狀態(tài)

◆根據(jù)基材本身的性質(zhì)不同來確定工藝參數(shù)

◆定期更換電極板，在設(shè)備上多花點時間，可以避免很多出錯