一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應管。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

半導體工藝制程不斷縮小，MOS器件尺寸隨之不斷減小，當達到納米級別后，受功耗密度、散熱效率等因素影響，傳統MOS器件出現一系列性能問題，性能與可靠性會退化，無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米線MOS器件具有優良的柵控能力，在保持性能與可靠性方面更具優勢，且具有良好的CMOS工藝兼容能力，因此成為MOS器件的重要發展方向。

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就目前的半導體行業發展來說，MOS管是作為半導體行業里基礎的器件之一，無論是在集成電路設計里，還是在板級電路的應用上都是十分廣泛的。目前尤其是在大功率半導體行業里，各種結構不同種類的MOS管更是發揮著不可i替代的作用。