微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產業發展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業應用技術開發。

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。靜態旋轉法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中，光刻膠中的溶劑會揮發一部分。靜態涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵，量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質量。

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掩膜版的制造工藝是集成電路的質量的集成度的重要工序，光刻掩膜版是一塊石英板，它可以確定一張硅片中的工藝層所需的完整管芯陣列。掩膜版制作：首先需要在掩膜版上形成圖形，一般形成圖形的方法是使用電子光束，整體下來環節比較復雜。

光刻膠是一種有光敏化學作用的高分子聚合物材料，是電子束曝照圖案、轉移紫外曝光的媒介。它覆蓋在基材的表面，每當紫外光、電子束照射時，光刻膠的特性就會發生改變。在顯影液顯影后，未曝光的正性光刻膠或者曝光的負性光刻膠這兩都留在襯底表面，之后將設計的微納結構順利轉移光刻膠上；這之后的刻蝕、沉積等工藝，會進一步將此圖案轉移至光刻膠下面的襯底上。

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光刻板和光刻掩膜版什么區別

光刻板和光刻掩膜版沒有區別。

光刻掩膜版是光刻工藝中重要的材料之一，業內又稱光罩版，掩膜版，光刻版。在傳播中又形成了光刻板這個名稱，實際沒有區別。

光刻掩膜版的壽命有一個很大的變化范圍，通常介于1000-5000個曝光晶圓計數。

在掩膜版的使用過程中，霧狀缺陷是影響掩膜版壽命的主要因素。隨著光刻波長的變化，受霧狀缺陷影響的光刻版比例可高達20%。因此，控制掩膜版使用和保存環境對保護掩膜版壽命有很重要的作用。

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