微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產業發展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業應用技術開發。

光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。

光刻膠按應用領域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全i球市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡。智研咨詢的數據還顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產業東移的趨勢，自2011年至今，光刻膠中國本土供應規模年華增長率達到11%，高于全i球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業銷售規模約70億元，全i球占比約10%，發展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。

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掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。

掩膜臺：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。

物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術難度就在于物鏡的設計難度大，精度的要求高。

硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。

內部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩定的溫度、壓力。

光刻機跟照相機差不多，它的底片，是涂滿光敏膠的硅片。電路圖案經光刻機，縮微投射到底片，蝕刻掉一部分膠，露出硅面做化學處理。制造芯片，要重復幾十遍這個過程。

位于光刻機中心的鏡頭，由20多塊鍋底大的鏡片串聯組成。鏡片得高純度透光材料+高質量拋光。SMEE光刻機使用的鏡片，得數萬美元一塊。

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光刻是通過特定的生產步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分去除的工藝，需要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測的等多道工序。光刻掩膜版類似于相機曝光后的底片，應用于對集成電路進行投影定位。光掩膜版的制作有專門的制版設備，一般都是用激光直寫光刻設備做出來的。

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2003年，光刻掩膜版的90nm工藝的主流光刻技術是193nm準分子激光掃描分布投影光刻機（ArF Scanner），的光學光刻機巨頭Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。

特征尺寸為45nm的光刻技術包括193nm ArF干法光刻技術、193nm ArF浸沒式光刻技術二次成像與二次曝光技術、帶有其他液體的193nm浸沒式光刻技術、極短紫外光刻技術（EUV）以及無掩膜光刻技術。

在上述納米尺寸光刻加工涉及到的工藝技術中，可以了解到除了無掩膜光刻技術和納米壓印光刻技術，都可以進行掩膜版光刻。我們不能否認的是，掩膜版成本較高至今還是納米工藝達到量產的難點之一。

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