2分鐘前 龍泉鋁材5052曝光顯影加工工廠服務至上 利成感光[利成感光38dbdb8]內容：顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓顯影工藝是指用顯影液去除晶圓上部分光刻膠，形成三維的物理圖形

旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。甩干（spin dry）：為了將表面的去離子水甩干，將硅片轉到高轉速曝光顯影是一種工程加工技術，用于制造半導體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個步驟中將所需的圖案或形狀轉移到底材表面。盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中 [1]。

顯影：將曝光后的硅片浸泡在顯影液中，在此過程中，光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分（即需要去除的圖案區域）中被消蝕，并暴露出硅片表面。曝光一般在曝光機內進行，目前的曝光機依據光源冷卻方式可分為風冷和水冷，曝光質量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質量等因素。盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。

將顯影液涂覆在曝光后的晶圓表面上，正膠的曝光區域和負膠的非曝光區域溶于顯影液中，進一步將反應聚合物和顯影液殘留沖洗后，就可以顯現出光刻膠中的圖形，曝光一般在曝光機內進行，曝光不足，導致單體聚合不，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會造成難顯影，留有殘膠。同時曝光影響圖案的線寬，過量曝光會使圖形線條變細，蝕刻產品線條變粗。為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應