采用連續式硫化法的情況下，不會有因切去加壓成形產生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內進行處理時橡膠管兩端翹起的部分而導致的橡膠浪費，另外能夠縮短制造時間和減少人工費用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優于間歇式硫化法。背靶材料：無氧銅(OFC)–目前常使用的作背靶的材料是無氧銅，因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。

此外，硫化處理后，由于對每個輥筒都進行了剪切，所以基本上不會出現上述差別，這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。

但是靶材制作困難，這是因為氧化銦不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。日本的科學家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的ITO靶材。在微孔孔徑較大的發泡輥筒中，色粉進入輥筒的微孔內不易去除，所以存在圖像混亂的問題。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。

在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。常用的方法有金屬熱還原法制取稀土金屬和熔鹽電解法制取稀土金屬。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。