存儲芯片是數(shù)據(jù)的載體，是電子系統(tǒng)的“糧倉”。在A股市場，存儲企業(yè)設(shè)計公司也深受追捧，比如兆易創(chuàng)新這樣國內(nèi)存儲芯片龍頭，市值已超千億。

近期，就有一家存儲芯片“新銳勢力”即將登陸A股。12月6日，東芯股份披露科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果，此次發(fā)行價格為30.18元/股，發(fā)行數(shù)量為1.1056億股。值得一提的是，集成電路大基金二期、上汽集團獲配329.70萬股，獲配金額為9950.25萬元。

與兆易創(chuàng)新類似，東芯股份業(yè)務(wù)橫跨三大主要存儲芯片——NAND Flash、NOR Flash以及DRAM，同時兩家公司均主攻中小容量存儲芯片市場。兆易創(chuàng)新“珠玉在前”，又有大基金二期、上汽集團加持，東芯股份登陸科創(chuàng)板后的市場表現(xiàn)值得期待。

提供完整存儲解決方案

近期，大量芯片公司登陸科創(chuàng)板，但大多集中在模擬芯片領(lǐng)域，而存儲芯片領(lǐng)域上市公司少之又少。

存儲芯片是應(yīng)用面較廣、市場比例較高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一，而國內(nèi)如東芯股份這般提供完整存儲解決方案的企業(yè)，則更為稀有。據(jù)悉，目前主流存儲芯片主要為閃存與內(nèi)存，閃存主要是NAND Flash、NOR Flash，內(nèi)存便是DRAM。

NAND Flash可以分為SLC、MLC、TLC、QLC，其中中小容量主要使用SLC NAND，大容量SSD等產(chǎn)品主要使用MLC NAND、TLC NAND。東芯股份主攻中小容量市場，NAND Flash領(lǐng)域主要產(chǎn)品便是SLC NAND。其他兩個存儲芯片，也分別主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。

2021年1~6月，東芯股份NAND、NOR和DRAM產(chǎn)品營收分別為2.33億元、8547.02萬元和3127.35萬元，營收占比分別為51.32%、18.80%和6.88%。東芯股份表示：“憑借強大的研發(fā)設(shè)計能力和自主清晰的知識產(chǎn)權(quán)，公司搭建了穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈體系，設(shè)計研發(fā)的24nm NAND、48nm NOR均為我國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，已達到可量產(chǎn)水平，實現(xiàn)了國內(nèi)存儲芯片的技術(shù)突破?！?/p>

而根據(jù)兆易創(chuàng)新2020年年報，其表示2021年公司NOR Flash產(chǎn)品將基于55nm工藝節(jié)點開展項目研發(fā)，豐富和完善公司的產(chǎn)品系列。同時，24nm將成為公司SLC NAND主要工藝節(jié)點之一?？梢钥闯?，不管是NOR Flash還是SLC NAND，東芯股份在工藝制程方面均不遜色于兆易創(chuàng)新。

目前，國內(nèi)存儲芯片市場需求巨大，但自給率仍然較低。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會數(shù)據(jù)，2018年我國存儲芯片市場規(guī)模為5775億元，同比增長34.18%，預(yù)計2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達6492億元，未來發(fā)展空間廣闊。然而中國存儲芯片的自給率僅15.70%，比整體集成電路的自給率更低，令中國存儲芯片自主可控的需求更為迫切。

中小容量存儲市場：巨頭離場，增長迅速

從技術(shù)角度看，NAND Flash已經(jīng)進入3D NAND時代，主流DRAM廠商制程已經(jīng)來打1Znm。相比之下，東芯股份與國際龍頭仍存在差距。

不過，東芯股份并非在PC、手機、服務(wù)器等主流存儲市場與國際龍頭競爭，而是主攻中小容量市場。近年來，三星、SK海力士、鎂光等廠商陸續(xù)從中小容量存儲市場離場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市場。

巨頭離場留下的市場空間，也成就了兆易創(chuàng)新、華邦電子等二線存儲廠商。對于東芯股份來說，同樣存在著廣闊的發(fā)展空間。特別是隨著國產(chǎn)化需求的不斷提高，國內(nèi)企業(yè)將迎來良好的發(fā)展契機。

巨頭的離場并不意味著中小容量市場是個“雞肋”。與之相反，5G、物聯(lián)網(wǎng)以及汽車電子已成為推動中小容量市場發(fā)展的重要驅(qū)動力量。比如5G通訊設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲芯片作為各類數(shù)據(jù)站點。5G宏基站為例，其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢。

而在火熱的汽車電子賽道，中小容量NAND也將迎來大發(fā)展。這是因為在汽車系統(tǒng)中，從先進駕駛輔助系統(tǒng)到完全自動駕駛，復(fù)雜的汽車應(yīng)用將更需要高容量的閃存，這對設(shè)計者而言，成本的考慮變得相對重要許多。相比之下，NAND Flash相比NOR Flash單位成本具有優(yōu)勢，能夠為較大容量車規(guī)閃存提供良好的解決方案。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存儲消費2.2億GB，同比增長300%。由于智能汽車領(lǐng)域的快速發(fā)展，預(yù)計至2024年，全球ADAS領(lǐng)域的NAND Flash存儲消費將達41.5億GB，2019~2024年復(fù)合增速達79.8%。

下游客戶方面，東芯股份NAND Flash憑借產(chǎn)品品類豐富、功耗低、可靠性高等特點，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備及移動終端等領(lǐng)域，獲得了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、中興微、博通等行業(yè)內(nèi)主流平臺廠商的驗證認可，被主要應(yīng)用于5G通訊、企業(yè)級網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機、數(shù)字機頂盒和智能手環(huán)等終端產(chǎn)品。使用公司產(chǎn)品的終端知名客戶包括中興通訊、烽火通信、?？低?、大華股份、創(chuàng)維數(shù)字、航天信息等。

東芯股份表示：“公司NAND Flash產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，公司產(chǎn)品在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方面表現(xiàn)穩(wěn)定，不僅在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過10萬次，同時可在-40℃到105℃的極端環(huán)境下保持數(shù)據(jù)有效性長達10年，產(chǎn)品可靠性逐步從工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)邁進?！?/p>

未來，東芯股份將進一步發(fā)展車規(guī)級閃存芯片。其表示：“在滿足客戶工業(yè)級應(yīng)用需求的基礎(chǔ)上，將產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)逐步向車規(guī)級推進，以順應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)在智能網(wǎng)聯(lián)功能的布局，大力發(fā)展可靠性要求更高的車規(guī)級存儲芯片，實現(xiàn)車規(guī)級閃存產(chǎn)品的國產(chǎn)替代目標(biāo)?！?/p>

利基型DRAM方面，目前市場也處于供不應(yīng)求的境地。根據(jù)國金證券研報，由于數(shù)位電視、機上盒、Wi-Fi 5/6、安防、路由器、Modem、AIOT、白色家電、工業(yè)IPC對小容量DRAM內(nèi)存的需求穩(wěn)定增長，加上SK海力士將相關(guān)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)CMOS傳感器，從而退出中低容量特殊利基型DRAM供應(yīng)鏈等，DDR2 512Mb/1Gb、DDR3 1、2Gb DRAM等中低容量特殊利基型DRAM需求超過供給。

而東芯股份DRAM產(chǎn)品正是DDR3和LPDDR2，其專注于中小容量DRAM產(chǎn)品，主要應(yīng)用于利基型市場，終端產(chǎn)品包括數(shù)字機頂盒、PON等通訊設(shè)備及功能手機、行車記錄儀等移動終端等應(yīng)用。

行業(yè)壁壘：技術(shù)+資本

可以看出，東芯股份主要供應(yīng)中小容量存儲，包括SLC NAND、NOR Flash以及利基型DRAM，而這些領(lǐng)域有較大市場潛力。

然而，存儲芯片行業(yè)兼具資本密集型和技術(shù)密集型，技術(shù)和資本決定了一個公司的成敗。目前，東芯股份擁有國內(nèi)外發(fā)明專利82項，集成電路專業(yè)布圖設(shè)計所有權(quán)34項，先后獲得“第七屆中國電子信息博覽會創(chuàng)新獎”“2020年度中國IC設(shè)計成就獎之年度最佳存儲器”“2019年度上海市‘專精特新’中小企業(yè)”等榮譽稱號。

東芯股份表示：“自成立以來，公司高度重視研發(fā)投入與技術(shù)創(chuàng)新，致力于實現(xiàn)本土存儲芯片的技術(shù)突破。公司研發(fā)團隊通過多年在存儲芯片設(shè)計領(lǐng)域積累的大量技術(shù)經(jīng)驗，基于自有知識產(chǎn)權(quán)和研發(fā)設(shè)計體系，自主開發(fā)了NAND、NOR、DRAM等主流存儲芯片，憑借高可靠性、低功耗等特點，多款代表公司先進技術(shù)水平的核心產(chǎn)品通過國內(nèi)外多家知名企業(yè)的認證?！?/p>

SLC NAND領(lǐng)域，2020年華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新制程分別為32nm、19nm和24nm，東芯股份為24nm；NOR Flash方面，華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新、普冉股份分別為58nm、55nm、55nm和40nm，東芯股份為48nm。

內(nèi)存方面，華邦電子DDR制程為25nm，東芯股份旗下公司Fidelix同樣是25nm；華邦電子LPDDR為25nm，東芯股份旗下Fidelix則為38nm。

中小容量市場在巨頭離場后，二線廠商迎來發(fā)展機遇。供給端巨頭離場，需求端又迎來物聯(lián)網(wǎng)、5G和汽車電子發(fā)展紅利。而唯有握住核心技術(shù)，方能把握供給端、需求端帶來的機遇。對比中小容量存儲領(lǐng)域競爭對手可以發(fā)現(xiàn)，東芯股份在制程方面基本不弱于同行。尤為可貴的是，東芯股份在SLC NAND、NOR Flash、利基型DDR、利基型LPDDR這四大類產(chǎn)品均有布局。疊加國產(chǎn)替代大潮，東芯股份四大產(chǎn)品后續(xù)或?qū)⒊掷m(xù)高速增長。文/程翔

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