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銅陵偏釩酸銨廠家來電垂詢「在線咨詢」進化論歌詞

   日期:2023-11-02     作者:人本合金    瀏覽:38    評論:0    
核心提示:6分鐘前 銅陵偏釩酸銨廠家來電垂詢「在線咨詢」[人本合金bc024ba]內容:電感耦合等離子體原子發射光譜法(ICPNH4VO3對鎂合金表面磷酸鹽轉化膜耐蝕性的影響十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金
6分鐘前 銅陵偏釩酸銨廠家來電垂詢「在線咨詢」[人本合金bc024ba]內容:電感耦合等離子體原子發射光譜法(ICPNH4VO3對鎂合金表面磷酸鹽轉化膜耐蝕性的影響十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金表面偏釩酸鹽轉化膜進行改電感耦合等離子體原子發射光譜法(ICP

樣品采用鹽酸溶解后,以電感耦合等離子體原子發射光譜法(ICP-AES)同時測定了偏釩酸銨中10種微量雜質元素鋁、鐵、硅、磷、鉛、、鉻、鉀、鈉、鈣的含量。由于樣品溶液中含有2.18g/L釩和0.78g/L銨根,故實驗重點考察了2.18g/L釩標準溶液、0.78g/L銨根標準溶液及兩者的混合標準溶液,以及10mg/L各待測元素標準溶液、水和5%(V/V)鹽酸試劑空白的譜線重疊與連續背景疊加等光譜干擾以及基體效應對待測元素測定的干擾影響情況。

NH4VO3對鎂合金表面磷酸鹽轉化膜耐蝕性的影響

為了提高鎂合金磷化鹽轉化膜的耐腐蝕性能,向鎂合金磷酸處理液中添加NH4VO3,采用中性鹽霧實驗、Tafel曲線和電化學阻抗測試、掃描電鏡(SEM)測試和能量色散譜儀分析等方法檢測膜層的性能,研究了NH4VO3對鎂合金表面磷酸鹽轉化膜耐蝕性的影響。結果表明:加入NH4VO3后,鎂合金化學轉化膜表面的裂紋有細化和孔洞有減少的趨勢;化學轉化膜呈現明顯的容抗特性,電化學阻抗可達273.6Ω;自腐蝕電位正移了121.6 mV,自腐蝕電流密度明顯減小,降低了接近一個數量級,耐腐蝕性能得到了很大的提升,表面化學轉化膜的耐中性鹽霧腐蝕時間大幅度增加,達到41 h。

氫能作為一種能量載體,具有清潔無污染、可再生、安全等優點,被譽為人類的清潔能源。因此發展、穩定的電催化析氫催化劑對可再生能源的轉換利用至關重要。以偏釩酸銨為釩源,F127為結構調控劑,采用水-乙二醇混合溶劑體系制備了釩摻雜的Ni3S2/泡沫鎳自支撐電極。通過X-射線光電子能譜(XPS)分析,摻雜釩的價態為+5價。通過研究該催化劑在1MKOH堿性介質中的電催化析氫反應性能。發現釩摻雜的Ni3S2/泡沫鎳自支撐電極具有優異的電催化析氫性能,在堿性介質中僅需要206mV的過電勢就可以產生50mA·cm^-2的電流密度,低于沒有釩摻雜Ni3S2/泡沫鎳(226mV)和空白NF(>350mV)需要的過電勢,并且該催化劑在電流密度為70mA·cm^-2時可以穩定10h。性能結果說明金屬摻雜優化了Ni3S2/泡沫鎳自支撐電極的電催化析氫性能。

十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金表面偏釩酸鹽轉化膜進行改

采用十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金表面偏釩酸鹽轉化膜進行改性。研究了SDBS含量、p H、轉化時間和溫度等對釩酸鹽轉化膜耐蝕性的影響,得到較優的成膜工藝條件為:偏釩酸銨2.2 g/L,SDBS 1.2 g/L,p H 4.4,溫度30°C,時間16 min。分別采用掃描電鏡、能譜儀、中性鹽霧試驗、電化學工作站和紅外光譜儀分析了轉化膜的表面形貌、成分、耐蝕性和組織結構。結果表明,改性后的轉化膜為無定形結構,含Mg、O、C、F、Al、V元素和SDBS有機官能團。改性轉化膜在Na Cl溶液中的腐蝕電位和腐蝕電流密度分別為-1.246 V和5.99×10-6 A/cm2,中性鹽霧試驗時間長達72 h,耐蝕性能遠優于未改性轉化膜。

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