公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，場效應管可被看成電氣開關。當在n溝道場效應管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應管的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

場效應管與三極管的區別：

1.場效應管和三極管的區別是電壓和電流控制，在性能方面，場效應管要明顯優于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設計合理，采用場效應管會明顯提升整體性能；

2.場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的；

3.場效應管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種載流子；三極管是雙極型管子，即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與；

4.場效應管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流；三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流；

5.場效應管輸入阻抗大；三極管輸入阻抗小；

6.場效應管的頻率特性不如三極管；

7.場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級；

8.信號源電流小應該選用場效應管，反之則選用三極管更為合適。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

MOSFET管有兩個電極，一個是金屬，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產制造為四種類型，分別是增強型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實在實際的運用中一般只用增強型的N溝道和增強型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。

針對這兩種增強型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強型的N溝道MOS管的導通電阻更小，并且生產簡便，因此在開關電源和電機驅動的運用中，我們一般使用增強型的N溝道MOS管。

MOS管的三個管腳中有寄生電容的存在，雖然說這并不是大家所需要的，但其中生產制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設計方案或挑選驅動電源電路的情況下會更麻煩一些，其中還沒有解決的辦法能避免。

在MOS管的漏極和源極中有一個寄生二極管叫做體二極管，就驅動感性負載來說，二極管對其十分重要。順帶說一句，體二極管只在單獨的MOS管內存在，在集成電路芯片內部一般都是沒有的。